Improved modulation performance of a silicon p-i-n device by trench isolation
- 期刊名称jlt/19/3/jlt-19-3-387.pdf
- 作者Hewitt, P.D.; Reed, G.T.
- 卷第19卷
- 期第3期
- 印刷ISSN0733-8724
- 电子ISSN1558-2213
- 文件大小141.12KB
- 发表时间2001
- DOI10.1109/50.918892
- 页码387-390
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