Ultraviolet light-emitting diodes at 340 nm using quaternary AlInGaN multiple quantum wells
Adivarahan, V.; Chitnis, A.; Zhang, J. P.; Shatalov, M.; Yang, J. W.; Simin, G.; Khan, M. Asif; Gaska, R.; Shur, M. S.
- 期刊名称Applied Physics Letters
- 作者Adivarahan, V.; Chitnis, A.; Zhang, J. P.; Shatalov, M.; Yang, J. W.; Simin, G.; Khan, M. Asif; Gaska, R.; Shur, M. S.
- 卷第79卷
- 期第25期
- 印刷ISSN0003-6951
- 文件大小302.82KB
- 发表时间2001
- DOI10.1063/1.1425453