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Buffer layer dependence of memory effects for SrBi ₂ Ta ₂ O ₉ on Si

Han, J-P.; Guo, X; Broadbridge, C. C.; Ma, T. P.; Ils, A.; Cantoni, M.; Sallese, J-M.; Fazan, P.

期刊名称Integrated Ferroelectrics
作者Han, J-P.; Guo, X; Broadbridge, C. C.; Ma, T. P.; Ils, A.; Cantoni, M.; Sallese, J-M.; Fazan, P.
卷第34卷
印刷ISSN1058-4587
电子ISSN1607-8489
文件大小691.31KB
发表时间2001-02
DOI10.1080/10584580108012875
页码65-72

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