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Influence of pinning trap in Ti/4H–SiC Schottky barrier diode

Influence of pinning trap in Ti/4H–SiC Schottky barrier diode

K. Ohtsuka; Y. Matsuno; Y. Hase; H. Sugimoto; K. Fujihira; Y. Tarui; M. Imaizumi; T. Takami; T. Ozeki
  • 作者K. Ohtsuka; Y. Matsuno; Y. Hase; H. Sugimoto; K. Fujihira; Y. Tarui; M. Imaizumi; T. Takami; T. Ozeki
  • 卷第6卷
  • 印刷ISSN1369-8001
  • 文件大小275.75KB
  • 发表时间2003
  • DOI10.1016/j.mssp.2003.08.016
  • 页码359-362
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