Ab InitioStudy of Structural and Electronic Properties of Hole-Doped Fullerenes: Enhancement ofTc

• 作者B. K. Agrawal; S. Agrawal; P. S. Yadav; P. Srivastava; R. Srivastava; S. Singh
• 卷第17卷
• 期第2期
• 印刷ISSN0896-1107
• 电子ISSN1572-9605
• 文件大小235.55KB
• 发表时间2004-04
• DOI10.1023/b:josc.0000021228.45696.d5
• 页码289-296