Thermal modeling and measurement of AlGaN-GaN HFETs built on sapphire and SiC substrates
- 作者Jeong Park; Moo Whan Shin; Lee, C.C.
- 卷第51卷
- 期第11期
- 印刷ISSN0018-9383
- 电子ISSN1557-9646
- 文件大小1481.68KB
- 发表时间2004
- DOI10.1109/ted.2004.836540
- 页码1753-1759
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