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AlGaN-based 280 nm light-emitting diodes with continuous-wave power exceeding 1 mW at 25 mA

Zhang, J. P.; Hu, X.; Bilenko, Yu.; Deng, J.; Lunev, A.; Shur, M. S.; Gaska, R.; Shatalov, M.; Yang, J. W.; Khan, M. A.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Zhang, J. P.; Hu, X.; Bilenko, Yu.; Deng, J.; Lunev, A.; Shur, M. S.; Gaska, R.; Shatalov, M.; Yang, J. W.; Khan, M. A.
卷第85卷
期第23期
印刷ISSN0003-6951
文件大小250.62KB
发表时间2004
DOI10.1063/1.1831557