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Photoelectrochemical etching of n-type 4H silicon carbide

Photoelectrochemical etching of n-type 4H silicon carbide

Shishkin, Y.; Choyke, W. J.; Devaty, R. P.
  • 期刊名称Journal of Applied Physics
  • 作者Shishkin, Y.; Choyke, W. J.; Devaty, R. P.
  • 卷第96卷
  • 期第4期
  • 印刷ISSN0021-8979
  • 文件大小1384.98KB
  • 发表时间2004
  • DOI10.1063/1.1768612
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