Structural characterisation of $(11{bar 2}0)$ 4H-SiC substrates by cathodoluminescence and X-ray topography

Hidalgo, P.; Ottaviani, L.; Idrissi, H.; Lancin, M.; Martinuzzi, S.; Pichaud, B.

期刊名称The European Physical Journal Applied Physics
作者Hidalgo, P.; Ottaviani, L.; Idrissi, H.; Lancin, M.; Martinuzzi, S.; Pichaud, B.
卷第27卷
印刷ISSN1286-0042
电子ISSN1286-0050
文件大小318.84KB
发表时间2004-07
DOI10.1051/epjap:2004100
页码231-233

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