Application of selective epitaxy for formation of ultra shallow SiGe-based junctions
J. Hållstedt; C. Isheden; M. Östling; R. Baubinas; J. Matukas; V. Palenskis; H.H. Radamson
- 作者J. Hållstedt; C. Isheden; M. Östling; R. Baubinas; J. Matukas; V. Palenskis; H.H. Radamson
- 印刷ISSN0921-5107
- 文件大小230.38KB
- 发表时间2004
- DOI10.1016/j.mseb.2004.07.052
- 页码180-183