GaN nanodot fabrication by implant source growth

• 作者R. Buckmaster; J.H. Yoo; K. Shin; Y. Yao; T. Sekiguchi; M. Yokoyama; T. Hanada; T. Goto; M. Cho; Y. Kawazoe; T. Yao
• 卷第36卷
• 印刷ISSN0026-2692
• 文件大小133.36KB
• 发表时间2005
• DOI10.1016/j.mejo.2005.02.046
• 页码456-459