Improved electrical and material characteristics of HfTaO gate dielectrics with high crystallization temperature

• 期刊名称Applied Physics Letters
• 作者Zhang, M. H.; Rhee, S. J.; Kang, C. Y.; Choi, C. H.; Akbar, M. S.; Krishnan, S. A.; Lee, T.; Ok, I. J.; Zhu, F.; Kim, H. S.; Lee, Jack C.
• 卷第87卷
• 期第23期
• 印刷ISSN0003-6951
• 文件大小261.35KB
• 发表时间2005
• DOI10.1063/1.2138813