Improvement of writing margin in MRAM with novel shape
Oh, S. C.; Lee, J. E.; Kim, H.-J.; Ha, Y. K.; Bae, J. S.; Nam, K. T.; Kim, E. S.; Park, S. O.; Kim, H. S.; Chung, U-In; Moon, J. T.
- 期刊名称Journal of Applied Physics
- 作者Oh, S. C.; Lee, J. E.; Kim, H.-J.; Ha, Y. K.; Bae, J. S.; Nam, K. T.; Kim, E. S.; Park, S. O.; Kim, H. S.; Chung, U-In; Moon, J. T.
- 卷第97卷
- 期第10期
- 印刷ISSN0021-8979
- 文件大小303.76KB
- 发表时间2005
- DOI10.1063/1.1861433