Origin of forward leakage current in GaN-based light-emitting devices

Lee, S. W.; Oh, D. C.; Goto, H.; Ha, J. S.; Lee, H. J.; Hanada, T.; Cho, M. W.; Yao, T.; Hong, S. K.; Lee, H. Y.; Cho, S. R.; Choi, J. W.; Choi, J. H.; Jang, J. H.; Shin, J. E.; Lee, J. S.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Lee, S. W.; Oh, D. C.; Goto, H.; Ha, J. S.; Lee, H. J.; Hanada, T.; Cho, M. W.; Yao, T.; Hong, S. K.; Lee, H. Y.; Cho, S. R.; Choi, J. W.; Choi, J. H.; Jang, J. H.; Shin, J. E.; Lee, J. S.
卷第89卷
期第13期
印刷ISSN0003-6951
文件大小451.27KB
发表时间2006
DOI10.1063/1.2357930

发现好书期刊，享受阅读乐趣

Origin of forward leakage current in GaN-based light-emitting devices