Characterization of thermally oxidized Ti∕SiO[sub 2] gate dielectric stacks on 4H–SiC substrate
R. Mahapatra; N. Poolamai; S. Chattopadhyay; N. G. Wright; A. K. Chakraborty; K. S. Coleman; P. G. Coleman; C. P. Burrows
- 作者R. Mahapatra; N. Poolamai; S. Chattopadhyay; N. G. Wright; A. K. Chakraborty; K. S. Coleman; P. G. Coleman; C. P. Burrows
- 文件大小461.21KB
- 发表时间2006
- DOI10.1063/1.2173713