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Finite temperature simulation studies of spin–flop magnetic random access memory devices

Finite temperature simulation studies of spin–flop magnetic random access memory devices

S.T. Chui; Ching-Ray Chang

作者S.T. Chui; Ching-Ray Chang
卷第353卷
期第4期
印刷ISSN0375-9601
文件大小266.23KB
发表时间2006
DOI10.1016/j.physleta.2005.12.078
页码345-348

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