Abnormal Disturbance Mechanism of Sub-100 nm NAND Flash Memory

• 作者S. J. Joo; H. J. Yang; K. H. Noh; H. G. Lee; W. S. Woo; J. Y. Lee; M. K. Lee; W. Y. Choi; K. P. Hwang; H. S. Kim; S. Y. Sim; S. K. Kim; H. H. Chang; G. H. Bae
• 文件大小500.41KB
• 发表时间2006
• DOI10.1143/JJAP.45.6210