发现好书期刊,享受阅读乐趣

海量图书期刊资源,随时随地畅享阅读乐趣

Analysis of the relation between leakage current and dislocations in GaN-based light-emitting devices

Analysis of the relation between leakage current and dislocations in GaN-based light-emitting devices

S. W. Lee; D. C. Oh; H. Goto; J. S. Ha; H. J. Lee; T. Hanada; M. W. Cho; S. K. Hong; H. Y. Lee; S. R. Cho; J. W. Choi; J. H. Choi; J. H. Jang; J. E. Shin; J. S. Lee; T. Yao
  • 作者S. W. Lee; D. C. Oh; H. Goto; J. S. Ha; H. J. Lee; T. Hanada; M. W. Cho; S. K. Hong; H. Y. Lee; S. R. Cho; J. W. Choi; J. H. Choi; J. H. Jang; J. E. Shin; J. S. Lee; T. Yao
  • 卷第4卷
  • 期第1期
  • 印刷ISSN1610-1634
  • 电子ISSN1610-1642
  • 文件大小271.74KB
  • 发表时间2007
  • DOI10.1002/pssc.200673552
  • 页码37-40
← 返回【学霸图书馆】主页