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Metal gates and gate-deposition-induced defects in Ta2O5 stack capacitors

Metal gates and gate-deposition-induced defects in Ta2O5 stack capacitors

E. Atanassova; D. Spassov; A. Paskaleva

作者E. Atanassova; D. Spassov; A. Paskaleva
卷第47卷
期第12期
印刷ISSN0026-2714
文件大小197.05KB
发表时间2007
DOI10.1016/j.microrel.2006.10.001
页码2088-2093

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