Vertical double-gate MOSFET device technology

• 作者Meishoku Masahara; Yongxun Liu; Kazuhiko Endo; Takashi Matsukawa; Eiichi Suzuki
• 卷第91卷
• 期第1期
• 印刷ISSN1942-9533
• 电子ISSN1942-9541
• 文件大小1264.43KB
• 发表时间2008
• DOI10.1002/ecj.10021
• 页码46-51