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Reactive ion etching of GaN in SF <sub/>6</sub> + Ar and SF <sub/>6</sub> + N <sub/>2</sub> plasma

Reactive ion etching of GaN in SF 6 + Ar and SF 6 + N 2 plasma

Sreenidhi, T; Baskar, K; DasGupta, Amitava; DasGupta, Nandita
  • 期刊名称Semiconductor Science and Technology
  • 作者Sreenidhi, T; Baskar, K; DasGupta, Amitava; DasGupta, Nandita
  • 卷第23卷
  • 期第12期
  • 印刷ISSN0268-1242
  • 电子ISSN1361-6641
  • 文件大小354.90KB
  • 发表时间2008-12-01
  • DOI10.1088/0268-1242/23/12/125019
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