Dynamic bias temperature instability-like behaviors under Fowler–Nordheim program/erase stress in nanoscale silicon-oxide-nitride-oxide-silicon memories

• 作者S. H. Seo; G. Kang; K. S. Roh; K. Y. Kim; S. Lee; K. Song; C. M. Choi; S. R. Park; K. Jeon; J. Park; B. Park; J. D. Lee; D. M. Kim; D. H. Kim
• 文件大小620.21KB
• 发表时间2008
• DOI10.1063/1.2905272