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Fabrication of high performance 3C-SiC vertical MOSFETs by reducing planar defects

Fabrication of high performance 3C-SiC vertical MOSFETs by reducing planar defects

Hiroyuki Nagasawa; Masayuki Abe; Kuniaki Yagi; Takamitsu Kawahara; Naoki Hatta
  • 作者Hiroyuki Nagasawa; Masayuki Abe; Kuniaki Yagi; Takamitsu Kawahara; Naoki Hatta
  • 卷第245卷
  • 期第7期
  • 印刷ISSN0370-1972
  • 电子ISSN1521-3951
  • 文件大小1524.67KB
  • 发表时间2008
  • DOI10.1002/pssb.200844053
  • 页码1272-1280
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