Analysis of interface trap parameters from double-peak conductance spectra taken on N-implanted 3C-SiC MOS capacitors

M. Krieger; S. Beljakowa; L. Trapaidze; T. Frank; H. B. Weber; G. Pensl; N. Hatta; M. Abe; H. Nagasawa; A. Schöner

作者M. Krieger; S. Beljakowa; L. Trapaidze; T. Frank; H. B. Weber; G. Pensl; N. Hatta; M. Abe; H. Nagasawa; A. Schöner
卷第245卷
期第7期
印刷ISSN0370-1972
电子ISSN1521-3951
文件大小1124.75KB
发表时间2008
DOI10.1002/pssb.200844062
页码1390-1395

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