Effect of point defects on the recombination activity of copper precipitates inp-type Czochralski silicon

• 作者Weiyan Wang; Deren Yang; Xuegong Yu; Duanlin Que
• 卷第19卷
• 印刷ISSN0957-4522
• 电子ISSN1573-482X
• 文件大小276.69KB
• 发表时间2008-12
• DOI10.1007/s10854-007-9507-y
• 页码32-35