InGaN/GaN laser diode characterization and quantum well number effect

• 期刊名称col/7/3/col-7-3-226.pdf
• 作者S. M. Thahab, S. M. Thahab; H. Abu Hassan, H. Abu Hassan; Z. Hassan, Z. Hassan
• 卷第7卷
• 期第3期
• 印刷ISSN1671-7694
• 文件大小2165.87KB
• 发表时间2009
• DOI10.3788/COL20090703.0226
• 页码226-230