[IEEE 2010 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2010.12.6-2010.12.8)] 2010 International Electron Devices Meeting - High performance 22/20nm FinFET CMOS devices with advanced high-K/metal gate scheme

Wu, C.C.; Lin, D.W.; Keshavarzi, A.; Huang, C.H.; Chan, C.T.; Tseng, C.H.; Chen, C.L.; Hsieh, C.Y.; Wong, K.Y.; Cheng, M.L.; Li, T.H.; Lin, Y.C.; Yang, L.Y.; Lin, C.P.; Hou, C.S.; Lin, H.C.; Yang, J.L.; Yu, K.F.; Chen, M.J.; Hsieh, T.H.; Peng, Y.C.; Chou, C.H.; Lee, C.J.; Huang, C.W.; Lu, C.Y.; Yang, F.K.; Chen, H.K.; Weng, L.W.; Yen, P.C.; Wang, S.H.; Chang, S.W.; Chuang, S.W.; Gan, T.C.; Wu, T.L.; Lee, T.Y.; Huang, W.S.; Huang, Y.J.; Tseng, Y.W.; Wu, C.M.; Ou-Yang, Eric; Hsu, K.Y.; Lin, L.T.; Wang, S.B.; Kwok, T.M.; Su, C.C.; Tsai, C.H.; Huang, M.J.; Lin, H.M.; Chang, A.S.; Liao, S.H.; Chen, L.S.; Chen, J.H.; Lim, P.S.; Yu, X.F.; Ku, S.Y.; Lee, Y.B.; Hsieh, P.C.; Wang, P.W.; Chiu, Y.H.; Lin, S.S.; Tao, H.J.; Cao, M.; Mii, Y.J.

作者Wu, C.C.; Lin, D.W.; Keshavarzi, A.; Huang, C.H.; Chan, C.T.; Tseng, C.H.; Chen, C.L.; Hsieh, C.Y.; Wong, K.Y.; Cheng, M.L.; Li, T.H.; Lin, Y.C.; Yang, L.Y.; Lin, C.P.; Hou, C.S.; Lin, H.C.; Yang, J.L.; Yu, K.F.; Chen, M.J.; Hsieh, T.H.; Peng, Y.C.; Chou, C.H.; Lee, C.J.; Huang, C.W.; Lu, C.Y.; Yang, F.K.; Chen, H.K.; Weng, L.W.; Yen, P.C.; Wang, S.H.; Chang, S.W.; Chuang, S.W.; Gan, T.C.; Wu, T.L.; Lee, T.Y.; Huang, W.S.; Huang, Y.J.; Tseng, Y.W.; Wu, C.M.; Ou-Yang, Eric; Hsu, K.Y.; Lin, L.T.; Wang, S.B.; Kwok, T.M.; Su, C.C.; Tsai, C.H.; Huang, M.J.; Lin, H.M.; Chang, A.S.; Liao, S.H.; Chen, L.S.; Chen, J.H.; Lim, P.S.; Yu, X.F.; Ku, S.Y.; Lee, Y.B.; Hsieh, P.C.; Wang, P.W.; Chiu, Y.H.; Lin, S.S.; Tao, H.J.; Cao, M.; Mii, Y.J.
文件大小427.90KB
发表时间2010
DOI10.1109/iedm.2010.5703430

发现好书期刊，享受阅读乐趣

[IEEE 2010 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2010.12.6-2010.12.8)] 2010 International Electron Devices Meeting - High performance 22/20nm FinFET CMOS devices with advanced high-K/metal gate scheme