In-vacancies in Si-doped InN

• 作者C. Rauch; F. Reurings; F. Tuomisto; T. D. Veal; C. F. McConville; H. Lu; W. J. Schaff; C. S. Gallinat; G. Koblmüller; J. S. Speck; W. Egger; B. Löwe; L. Ravelli; S. Sojak
• 卷第207卷
• 期第5期
• 印刷ISSN1862-6319
• 文件大小250.04KB
• 发表时间2010
• DOI10.1002/pssa.200983120
• 页码1083-1086