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LDMOSFET with drain potential suppression for 100 V Power IC technology

LDMOSFET with drain potential suppression for 100 V Power IC technology

P. Holland; M. Elwin; I. Anteney; J. Ellis; L. Armstrong; G. Birchby; P. Igic

作者P. Holland; M. Elwin; I. Anteney; J. Ellis; L. Armstrong; G. Birchby; P. Igic
卷第51卷
期第3期
印刷ISSN0026-2714
文件大小2801.08KB
发表时间2011
DOI10.1016/j.microrel.2010.09.015
页码529-535

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