Modeling of some electrical parameters of a MOSFET under applied uniaxial stress

• 作者Amit Chaudhry; Sonu Sangwan; Jatindra Nath Roy
• 卷第10卷
• 期第4期
• 印刷ISSN1569-8025
• 电子ISSN1572-8137
• 文件大小592.45KB
• 发表时间2011-12
• DOI10.1007/s10825-011-0378-3
• 页码437-442