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High-power silicon P–i–N diode with cathode shorts: The impact of electron irradiation

High-power silicon P–i–N diode with cathode shorts: The impact of electron irradiation

Pína, L.; Vobecký, J.

期刊名称Microelectronics Reliability
作者Pína, L.; Vobecký, J.
卷第53卷
期第5期
印刷ISSN0026-2714
文件大小1188.50KB
发表时间2013-5
DOI10.1016/j.microrel.2013.02.008
页码681-686

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