InAs hole inversion and bandgap interface state density of 2 × 1011 cm−2 eV−1 at HfO2/InAs interfaces

Wang, C. H.; Wang, S. W.; Doornbos, G.; Astromskas, G.; Bhuwalka, K.; Contreras-Guerrero, R.; Edirisooriya, M.; Rojas-Ramirez, J. S.; Vellianitis, G.; Oxland, R.; Holland, M. C.; Hsieh, C. H.; Ramvall, P.; Lind, E.; Hsu, W. C.; Wernersson, L.-E.; Droopad, R.; Passlack, M.; Diaz, C. H.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Wang, C. H.; Wang, S. W.; Doornbos, G.; Astromskas, G.; Bhuwalka, K.; Contreras-Guerrero, R.; Edirisooriya, M.; Rojas-Ramirez, J. S.; Vellianitis, G.; Oxland, R.; Holland, M. C.; Hsieh, C. H.; Ramvall, P.; Lind, E.; Hsu, W. C.; Wernersson, L.-E.; Droopad, R.; Passlack, M.; Diaz, C. H.
卷第103卷
期第14期
印刷ISSN0003-6951
文件大小1731.86KB
发表时间2013
DOI10.1063/1.4820477

发现好书期刊，享受阅读乐趣

InAs hole inversion and bandgap interface state density of 2 × 1011 cm−2 eV−1 at HfO2/InAs interfaces