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Methodology for vetting heavily doped semiconductors for intermediate band photovoltaics: A case study in sulfur-hyperdoped silicon

Sullivan, J. T.; Simmons, C. B.; Krich, J. J.; Akey, A. J.; Recht, D.; Aziz, M. J.; Buonassisi, T.

期刊名称Journal of Applied Physics
作者Sullivan, J. T.; Simmons, C. B.; Krich, J. J.; Akey, A. J.; Recht, D.; Aziz, M. J.; Buonassisi, T.
卷第114卷
期第10期
印刷ISSN0021-8979
文件大小1404.34KB
发表时间2013
DOI10.1063/1.4820454