Ti/HfO2 Based RRAM Operation Voltage Scaling for Embedded Memory

Tsai, C. H.; Chen, F. T.; Lee, H. Y.; Chen, Y. S.; Tsai, K. H.; Wu, T. Y.; Rahaman, S. Z.; Gu, P. Y.; Chen, W. S.; Chen, P. S.; Lin, Z. H.; Tseng, P. L.; Lin, W. P.; Lin, C. H.; Sheu, S. S.; Tsai, M. J.; Ku, T. K.

期刊名称ECS Transactions
作者Tsai, C. H.; Chen, F. T.; Lee, H. Y.; Chen, Y. S.; Tsai, K. H.; Wu, T. Y.; Rahaman, S. Z.; Gu, P. Y.; Chen, W. S.; Chen, P. S.; Lin, Z. H.; Tseng, P. L.; Lin, W. P.; Lin, C. H.; Sheu, S. S.; Tsai, M. J.; Ku, T. K.
卷第52卷
期第1期
印刷ISSN1938-6737
电子ISSN1938-5862
文件大小108.12KB
发表时间2013-03-08
DOI10.1149/05201.0039ecst
页码39-44

发现好书期刊，享受阅读乐趣

Ti/HfO2 Based RRAM Operation Voltage Scaling for Embedded Memory