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GaN High Electron Mobility Transistor Degradation: Effect of RF Stress

GaN High Electron Mobility Transistor Degradation: Effect of RF Stress

Douglas, E. A.; Gila, B. P.; Abernathy, C. R.; Ren, F.; Pearton, S. J.

期刊名称ECS Transactions
作者Douglas, E. A.; Gila, B. P.; Abernathy, C. R.; Ren, F.; Pearton, S. J.
卷第50卷
期第6期
印刷ISSN1938-6737
电子ISSN1938-5862
文件大小516.87KB
发表时间2013-03-15
DOI10.1149/05006.0261ecst
页码261-272

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