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Morphology of oxygen precipitates in silicon wafers pre-treated by rapid thermal annealing

Morphology of oxygen precipitates in silicon wafers pre-treated by rapid thermal annealing

Kot, D.; Kissinger, G.; Schubert, M. A.; Sattler, A.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Kot, D.; Kissinger, G.; Schubert, M. A.; Sattler, A.
卷第104卷
期第18期
印刷ISSN0003-6951
电子ISSN1077-3118
文件大小762.72KB
发表时间2014-05-05
DOI10.1063/1.4875278

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