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Simulation Study of the Selectively Implanted Deep-N-Well for PMOS SET Mitigation

Simulation Study of the Selectively Implanted Deep-N-Well for PMOS SET Mitigation

Yibai, He; Shuming, Chen
  • 期刊名称IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
  • 作者Yibai, He; Shuming, Chen
  • 卷第14卷
  • 期第1期
  • 印刷ISSN1530-4388
  • 电子ISSN1558-2574
  • 文件大小688.93KB
  • 发表时间2014-03
  • DOI10.1109/tdmr.2013.2290032
  • 页码99-103
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