A novel ALD SiBCN low-k spacer for parasitic capacitance reduction in FinFETs
T. Yamashita; S. Mehta; V. Basker; R. Southwick; A. Kumar; R. Kambhampati; R. Sathiyanarayanan; J. Johnson; T. Hook; S. Cohen; J. Li; A. Madan; Z. Zhu; L. Tai; Y. Yao; P. Chinthamanipeta; M. Hopstaken; Z. Liu; D. Lu; F. Chen; S. Khan; D. Canaperi; B. Haran; J. Stathis; P. Oldiges; C. Lin; S. Narasimha; A. Bryant; W. Henson; S. Kanakasabapathy; K. Murali; T. Gow; D. Mcherron; H. Bu; M. Khare
- 作者T. Yamashita; S. Mehta; V. Basker; R. Southwick; A. Kumar; R. Kambhampati; R. Sathiyanarayanan; J. Johnson; T. Hook; S. Cohen; J. Li; A. Madan; Z. Zhu; L. Tai; Y. Yao; P. Chinthamanipeta; M. Hopstaken; Z. Liu; D. Lu; F. Chen; S. Khan; D. Canaperi; B. Haran; J. Stathis; P. Oldiges; C. Lin; S. Narasimha; A. Bryant; W. Henson; S. Kanakasabapathy; K. Murali; T. Gow; D. Mcherron; H. Bu; M. Khare
- 文件大小392.59KB
- 发表时间2015
- DOI10.1109/VLSIT.2015.7223659