Application of N ⁺ Buried Layer in Reducing Lattice Temperature of Nano-Scale MOSFET

• 期刊名称ECS Journal of Solid State Science and Technology
• 作者Mehrad, Mahsa
• 卷第5卷
• 期第12期
• 印刷ISSN2162-8769
• 电子ISSN2162-8777
• 文件大小553.57KB
• 发表时间2016
• DOI10.1149/2.0251612jss