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Interfacial SiO
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scavenging kinetics in HfO
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gate stack

Interfacial SiO ₂ scavenging kinetics in HfO ₂ gate stack

Li, Xiuyan; Nishimura, Tomonori; Toriumi, Akira

期刊名称Applied Physics Letters
作者Li, Xiuyan; Nishimura, Tomonori; Toriumi, Akira
卷第109卷
期第20期
印刷ISSN0003-6951
电子ISSN1077-3118
文件大小1690.63KB
发表时间2016-11-14
DOI10.1063/1.4968002

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