Defect formation in GaAs/GaN _x As _1-x core/shell nanowires

• 期刊名称Applied Physics Letters
• 作者Stehr, J. E.; Chen, S. L.; Jansson, M.; Ishikawa, F.; Chen, W. M.; Buyanova, I. A.
• 卷第109卷
• 期第20期
• 印刷ISSN0003-6951
• 电子ISSN1077-3118
• 文件大小659.71KB
• 发表时间2016-11-14
• DOI10.1063/1.4967721