[IEEE 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2016.12.3-2016.12.7)] 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Devices and circuits in CMOS for THz applications

• 作者Ahmad, Z.; Choi, W.; Sharma, N.; Zhang, J.; Zhong, Q.; Kim, D.-Y.; Chen, Z.; Zhang, Y.; Han, R.; Shim, D.; Sankaran, S.; Seok, E.-Y.; Cao, C.; Mao, C.; Schueler, R. M.; Medvedev, I. R.; Lary, D. J.; Nam, H.-J.; Raskin, P.; DeLucia, F. C.; McMillan, J. P.; Neese, C. F.; Kim, I.; Momson, I.; Yellswarapu, P.; Dong, S.; Kim, B.-K.; O, K. K.
• 文件大小1285.06KB
• 发表时间2016
• DOI10.1109/IEDM.2016.7838509