Device Instability of ReRAM and a Novel Reference Cell Design for Wide Temperature Range Operation

Lin, Y. H.; Lin, Y. Y.; Lee, F. M.; Ho, Y. H.; Hsu, K. C.; Lee, M. H.; Lee, D. Y.; Chiang, K. H.; Yang, C. C.; Li, C. H.; Wu, S. W.; Lei, C. Y.; Lin, C. M.; Chen, C. J.; Chen, K. H.; Lung, H. L.; Wang, K. C.; Tseng, T. Y.; Lu, C. Y.

期刊名称IEEE Electron Device Letters
作者Lin, Y. H.; Lin, Y. Y.; Lee, F. M.; Ho, Y. H.; Hsu, K. C.; Lee, M. H.; Lee, D. Y.; Chiang, K. H.; Yang, C. C.; Li, C. H.; Wu, S. W.; Lei, C. Y.; Lin, C. M.; Chen, C. J.; Chen, K. H.; Lung, H. L.; Wang, K. C.; Tseng, T. Y.; Lu, C. Y.
印刷ISSN0741-3106
电子ISSN1558-0563
文件大小1021.37KB
发表时间2017
DOI10.1109/LED.2017.2732025
页码1-1

发现好书期刊，享受阅读乐趣

Device Instability of ReRAM and a Novel Reference Cell Design for Wide Temperature Range Operation