Double quantum dot memristor

Li, Ying; Holloway, Gregory W.; Benjamin, Simon C.; Briggs, G. Andrew D.; Baugh, Jonathan; Mol, Jan A.

期刊名称Physical Review B
作者Li, Ying; Holloway, Gregory W.; Benjamin, Simon C.; Briggs, G. Andrew D.; Baugh, Jonathan; Mol, Jan A.
卷第96卷
期第7期
印刷ISSN2469-9950
电子ISSN2469-9969
文件大小748.59KB
发表时间2017-8-31
DOI10.1103/PhysRevB.96.075446

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