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A threshold voltage and drain current model for symmetric dual-gate amorphous InGaZnO thin film transistors

A threshold voltage and drain current model for symmetric dual-gate amorphous InGaZnO thin film transistors

Cai, Minxi; Yao, Ruohe

期刊名称Science China Information Sciences
作者Cai, Minxi; Yao, Ruohe
卷第61卷
期第2期
印刷ISSN1674-733X
电子ISSN1869-1919
文件大小364.36KB
发表时间2018-2
DOI10.1007/s11432-016-9049-2

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