Ultrahigh-yield growth of GaN via halogen-free vapor-phase epitaxy
Nakamura, Daisuke; Kimura, Taishi
- 期刊名称Applied Physics Express
- 作者Nakamura, Daisuke; Kimura, Taishi
- 卷第11卷
- 期第6期
- 印刷ISSN1882-0778
- 电子ISSN1882-0786
- 文件大小867.86KB
- 发表时间2018-06-01
- DOI10.7567/APEX.11.065502