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Optoelectronic properties of high-Si-content-Ge
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              double heterostructure

Optoelectronic properties of high-Si-content-Ge 1 −x – y Si x Sn y /Ge 1− x Sn x /Ge 1− x–y Si x Sn y double heterostructure

Fukuda, Masahiro; Rainko, Denis; Sakashita, Mitsuo; Kurosawa, Masashi; Buca, Dan; Nakatsuka, Osamu; Zaima, Shigeaki
  • 期刊名称Semiconductor Science and Technology
  • 作者Fukuda, Masahiro; Rainko, Denis; Sakashita, Mitsuo; Kurosawa, Masashi; Buca, Dan; Nakatsuka, Osamu; Zaima, Shigeaki
  • 卷第33卷
  • 期第12期
  • 印刷ISSN0268-1242
  • 电子ISSN1361-6641
  • 文件大小1347.17KB
  • 发表时间2018-12-01
  • DOI10.1088/1361-6641/aaebb5
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