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DIBL enhancement in ferroelectric-gated FinFET

DIBL enhancement in ferroelectric-gated FinFET

Cho, Hyungki; Shin, Changhwan

期刊名称Semiconductor Science and Technology
作者Cho, Hyungki; Shin, Changhwan
卷第34卷
期第2期
印刷ISSN0268-1242
电子ISSN1361-6641
文件大小1194.48KB
发表时间2019-02-01
DOI10.1088/1361-6641/aaf518

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