Spatial imaging of charge transport in silicon at low temperature

Moffatt, R. A.; Kurinsky, N. A.; Stanford, C.; Allen, J.; Brink, P. L.; Cabrera, B.; Cherry, M.; Insulla, F.; Ponce, F.; Sundqvist, K.; Yellin, S.; Yen, J. J.; Young, B. A.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Moffatt, R. A.; Kurinsky, N. A.; Stanford, C.; Allen, J.; Brink, P. L.; Cabrera, B.; Cherry, M.; Insulla, F.; Ponce, F.; Sundqvist, K.; Yellin, S.; Yen, J. J.; Young, B. A.
卷第114卷
期第3期
印刷ISSN0003-6951
电子ISSN1077-3118
文件大小1568.77KB
发表时间2019-01-21
DOI10.1063/1.5049691

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Spatial imaging of charge transport in silicon at low temperature