A threshold voltage definition for modeling asymmetric dual-gate amorphous InGaZnO thin-film transistors with parameter extraction technique

• 期刊名称Journal of Applied Physics
• 作者Cai, Minxi; Yao, Ruohe
• 卷第125卷
• 期第8期
• 印刷ISSN0021-8979
• 电子ISSN1089-7550
• 文件大小2498.38KB
• 发表时间2019-02-28
• DOI10.1063/1.5082999